- Micron Technology 已开始在新加坡建设其价值数十亿美元的高带宽内存 （HBM） 封装设施。该公司将向该工厂投资 70 亿美元，因为预计在 AI 热潮中，未来几年对 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存的需求将猛增。该设施将于 2026 年开始运营。美光的高带宽内存 （HBM） 封装设施位于美光在新加坡现有的生产 3D NAND 和 DRAM 的晶圆厂旁边。新的 HBM 装配厂将于 2026 年投产，并计划在 2027 年大幅提高产能。该设施将使用先进的人工智能驱动的自动化来
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AI Micron HBM 装配厂
- HBM（高带宽内存）技术是即将到来的“内存内计算/处理”时代的一种“近内存计算（Near Memory Computing）/处理”阶段。由于人工智能/机器学习的高需求，三星、SK海力士和美光这三大内存制造商正在HBM技术的开发上竞相角逐。HBM是一种具有高带宽和宽通道的3D堆叠DRAM器件，这意味着它非常适合高性能计算（HPC）、高性能图形处理单元（GPU）、人工智能和数据中心应用所需的高能效、高性能、大容量和低延迟内存。因此，对于内存制造商而言，硅通孔（TSV）工艺集成和3D HBM DRAM芯片堆叠
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HBM 高带宽内存
- 12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶
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存储芯片 SK海力士 HBM
- 12 月 11 日消息，Marvell 美满电子美国加州当地时间 10 日宣布推出“定制 HBM 计算架构”（Custom HBM Compute Architecture），可令各种 XPU 处理器实现更高的计算和内存密度。Marvell 表示这项可提升性能、能效、成本表现的新技术对其所有定制芯片客户开放，并得到了三大 HBM 内存原厂 SK 海力士、三星电子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 计算架构”采用了非行业标准的 HBM I/O 接口设计，可带来更优秀性能和最多 70% 的接口
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Marvell HBM XPU
- 据外媒报道，三星正在扩大韩国和其他国家芯片封装工厂的产能，主要是苏州工厂和韩国忠清南道天安基地。由于人工智能领域激增的需求，下一代高带宽存储器封装（HBM）的重要性日益重要，三星希望通过提升封装能力，确保他们未来的技术竞争力，并缩小与SK海力士在这一领域的差距。· 苏州工厂是三星目前在韩国之外仅有的封装工厂，业内人士透露他们在三季度已同相关厂商签署了设备采购协议，合同接近200亿韩元，目的是扩大工厂的产能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市签署了扩大芯片封装产能的投资协议，计划在韩国天安市新建一座专门
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三星 高带宽存储器 封装 HBM
- 任何新的内存方法都必须具备可制造性与成本效益，方能被采用。
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HBM
- 获悉，周四，SK海力士公布了创纪录的季度利润和营收，这反映出市场对与英伟达(NVDA.US)处理器一起用于人工智能开发的存储芯片的强劲需求。作为英伟达的供应商，这家韩国存储芯片巨头第三季度的营业利润达到7.03万亿韩元(51亿美元)，上年同期为亏损1.8万亿韩元，高于分析师预期的6.9万亿韩元。营收大增94%，达到17.6万亿韩元，而市场预期为18.2万亿韩元。今年以来，SK海力士股价累计上涨逾35%，原因是该公司在设计和供应为英伟达人工智能加速器提供动力的尖端高带宽内存(HBM)方面扩大了对三星电子(S
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AI HBM SK海力士
- 10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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SK 海力士 CIS HBM 内存
- TrendForce指出，随着AI服务器持续布建，高带宽内存（HBM）市场处高成长阶段，平均售价约是DRAM产品的三至五倍，待下一代HBM3e量产，加上产能扩张，营收贡献将逐季上扬。TrendForce指出，HBM市场仍处于高成长阶段，由于各大云端厂商持续布建AI服务器，在GPU算力与内存容量都将升级下，HBM成为其中不可或缺的一环，带动HBM规格容量上升。如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e内存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生产难度高、良率仍有显着
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HBM DRAM TrendForce
- 近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。根据TrendForce集邦咨询最新调查，Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）与Micron（美光）已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi样品，目前处于持续验证阶段。其中SK
hynix与Micron进度较快，有望于今年底完成
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HBM3e 12hi 良率 验证 HBM TrendForce
- 随着GDDR7存储器标准规格于今年确定，存储器业者开始推出GDDR7解决方案。与目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升级，提高游戏和其它类型工作负载的性能。什么是GDDR7存储器呢？其实GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的显示存储器，如即将推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年问世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的显存时脉频率为14
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HBM 存储器 GDDR7
- IT之家 8 月 20 日消息，据韩媒 MK 报道，SK 海力士负责 HBM 内存业务的副总裁 Ryu Seong-soo 当地时间昨日在 SK 集团 2024 年度利川论坛上表示，M7 科技巨头都表达了希望 SK 海力士为其开发定制 HBM 产品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不断工作，与 M7 企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需
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海力士 HBM 内存
- IT之家 8 月 13 日消息，据 IDC 北京时间本月 7 日报告，三大内存原厂三星电子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半导体 IDM（IT之家注：整合组件制造）企业营收榜单第 1、3、4 位，第二位则是英特尔。▲ 图源 IDC报告表示，数据中心对 AI 训练与推理的需求飙升，其中对 HBM 内存的需求提升尤为明显。HBM 自身的高价和对通用 DRAM 产能的压缩也推动 DRAM 平均价格上升，使总体内存市场营收大幅成长。此外终端设备市场回稳，AI PC、智能手机逐步发售，同样提升
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内存 存储 HBM
- IT之家 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些时候还有报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV
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- 行业人士消息，美光总裁暨CEO Sanjay
Mehrotra在今年7月访问中国台湾，将带来更进一步合作，例如在人工智能（AI）应用扮演重要角色的高带宽存储器（HBM）。据悉，美光将加码在中国台湾投资，除制造HBM先进制程外，不排除有机会在中国台湾创建第二个研发中心。据悉，中国台湾经济部门于2021年5月申请领航企业研发深耕计划（大A+），提出DRAM先进技术暨高带宽存储器研发领航计划，在中国台湾设立第一个研发中心，获补助47亿元新台币，将研发先进制程落脚在中国台湾生产。2021年，美光在中国台湾申请
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美光 HBM
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