1月16日消息，美国芯片制造商Wolfspeed将其位于达拉斯郊外的得州工厂挂牌出售。该工厂所在数据中心通过Loopnet挂牌，价格未公布，含四栋建筑，是26英亩企业科技园区一部分，且四栋建筑不可单独出售。其中A栋为半导体制造厂，设有实验室、工厂车间和办公空间；B、D栋分别是办公空间与仓库，G楼数据中心可扩展至28MW，设施配备多台变压器、柴油发电机及UPS。Wolfspeed在2025年第一季度财报电话会议表明，公司旨在为简化业务，专注200毫米碳化硅晶圆，因150mm晶圆需求下降，得州工厂关闭致75人
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Wolfspeed 德州
10月16日消息，美国半导体开发商和制造商Wolfspeed当地时间10月15日宣布，已经与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），美国商务部拟根据《芯片和科学法案》直接提供高达7.5亿美元的资金。此外，由阿波罗、包普斯特集团（The Baupost Group）、富达管理与研究公司（Fidelity Management & Research Company）和资本集团（Capital Group）牵头的投资基金财团已同意向Wolfspeed公司提供额外的7.5亿美元新融资。另
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晶圆厂 Wolfspeed 芯片法案
10 月 16 日消息，美国商务部当地时间昨日宣布同碳化硅晶圆巨头、8 英寸 SiC 晶圆领军企业 Wolfspeed 签署一份不具约束力的初步条款备忘录，拟根据美国《CHIPS》法案提供最高 7.5 亿美元（IT之家备注：当前约 53.46 亿元人民币）的直接资金支持。这笔补贴将用于支持 Wolfspeed 在北卡罗来纳州 Siler City 建设 John Palmour 碳化硅制造中心并扩建 Wolfspeed 位于纽约州 Marcy 的现有碳化硅器件制造工厂。▲ John Palmou
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Wolfspeed 碳化硅晶圆厂 晶圆代工
几十年来，电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁，只需轻轻一按开关，便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而，随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长，现有电网唯有成功应对新的挑战（包括整合储能系统），才能确保在用电高峰期电力供应充足。 EPC Power 作为一家提供尖端功率转换解决方案的知名地面电站逆变器制造商，现已携手 Wolfspeed 开发解决方案，共同应对储能挑战。此次强强联合，双方利用碳化硅的强大性能，打造出业界首款地面电站组串式逆变器“M”，使并网储能系统比以往任何时
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EPC Power Wolfspeed 碳化硅 模块化 电网级储能
几十年来，电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁，只需轻轻一按开关，便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而，随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长，现有电网唯有成功应对新的挑战（包括整合储能系统），才能确保在用电高峰期电力供应充足。EPC Power 作为一家提供尖端功率转换解决方案的知名地面电站逆变器制造商，现已携手 Wolfspeed 开发解决方案，共同应对储能挑战。此次强强联合，双方利用碳化硅的强大性能，打造出业界首款地面电站组串式逆变器“M”，使并网储能系统比以往任何时候
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EPC Power Wolfspeed 碳化硅 电网级储能方案
由于功率模块的设计和几何形状可以实现 EMI 建模，从而使设计人员能够在设计流程的早期预测和了解其系统中的 EMI 反应。相邻或共用导电回路的电子器件容易受到电磁干扰 (EMI) 的影响，使其工作过程受到干扰。要确保各电气系统在同一环境中不干扰彼此的正常运行，就必须最大限度地减少辐射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半导体器件在工作期间需要进行快速开关，因此通常会产生传导型 EMI。在开关状态转换过程中，器件两端的电压和流经器件的电流会迅速改变状态。开、关状态间
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WOLFSPEED 功率器件 EMI
电动汽车（EV）直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机，直接为电池提供快速直流充电。如下图所示，直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成：图 1. 直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成在优化系统效率的同时最大限度缩短充电时间是直流快速充电机的主要关注点。在设计此类系统时，必须考虑器件选型、电压范围和负载要求、运行成本、温度、坚固性和环境保护，以及可靠性。相比传统硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作温度更高、导通损耗更小、漏电流
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SiC 电动汽车 直流快速充电机 Wolfspeed
据Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技术引领者Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉，John Palmour 碳化硅制造中心总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。该制造中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。产能的爬坡将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌、以及其他企业等）提供支持，推动具有重要
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Wolfspeed 碳化硅
3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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【2024年1月26日，德国慕尼黑和美国北卡罗来纳州达勒姆讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与全球碳化硅技术领域的领导者Wolfspeed（NYSE代码：WOLF）近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展，双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。&
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英飞凌 Wolfspeed 150mm 碳化硅晶圆
据外媒，1月23日，英飞凌与美国半导体制造商Wolfspeed发布声明，宣布扩大并延长双方2018年2月签署的现有150mm碳化硅晶圆长期供应协议。根据声明，双方延长的的合作关系中包括一项多年期产能预留协议。新协议有助于提高英飞凌总体供应链的稳定性，同时满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅晶圆产品日益增长的需求。英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范围内保障对于150mm和200mm碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源。
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近期，业内完成了一起并购案，美国功率器件大厂 Wolfspeed 以 1.25 亿美元的价格，将其射频业务（Wolfspeed RF）出售给了美国另一家模拟和混合信号芯片厂商 MACOM Technology。在出售的射频业务中，还包括 GaN-on-SiC（以 SiC 为衬底的 GaN 芯片技术）产品组合及其专利，主要用于制造射频芯片），这部分业务的主要应用领域是航空航天、国防、工业和电信。对于这起并购案，Wolfspeed 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe 表示：「鉴于在汽车，工业和可再生能源市
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Wolfspeed MACOM
全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.宣布，美国东部时间 3 月 28 日，美国总统乔·拜登（Joe Biden）视察了位于北卡罗来纳州达勒姆市的 Wolfspeed, Inc.总部，作为“投资美国（Invest in America）”之行的首站。拜登总统强调了政府项目针对促进美国制造业发展，重建国家基础设施，并增强供应链。美国商务部部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）和北卡罗来纳州州长罗伊·库珀（Roy Cooper）同时出席。Wolfspeed 作为站在从硅基产品向
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Wolfspeed 投资美国
● Wolfspeed 将与采埃孚在德国建立联合研发中心，旨在进一步提升在全球碳化硅系统和器件创新领域的领先地位。● 采埃孚将向 Wolfspeed 投资，以支持全球最先进、最大的碳化硅器件工厂的建设。全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.和与致力于打造下一代出行的全球性技术公司采埃孚集团宣布建立战略合作伙伴关系。这其中包括建立一座联合创新实验室，共同推动碳化硅系统和器件技术在出行、工业和能源应用领域的进步。此次合作还包括采埃孚将向
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Wolfspeed 采埃孚 碳化硅
· 将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件。· 扩展至欧洲的碳化硅器件制造布局，将支持不断加速中的客户需求，同时也将支持公司在 2027 财年达成 40 亿美元的长期营收展望。· 将成为公司先前宣布的 6
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Wolfspeed 碳化硅 制造工厂
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